Mosfet SOT23-3 IRLML6401TRPBF Kanal IRLML6401 N PD 1.3W
Kategorie:
Modul der integrierten Schaltung
Price:
discussible
Zahlungs-Methode:
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Spezifikationen
Nennleistung:
1,3 W
Abfluss-Quellwiderstand:
0,05 Ω
Polarität:
P-Kanal
Ausschweifende Energie:
1,3 W
Schwellenspannung:
550 Millivolt
Eingegebene Kapazitanz:
830 PF
Geheimnummer:
3
Hervorheben:
N-Kanal Mosfet SOT23
,P Mosfet SOT23
,IRLML6401TRPBF
Einleitung
NEUER UND URSPRÜNGLICHER N-Kanal IRLML6401 MOSFET SOT23-3 IRLML6401TRPBF
Produkte Beschreibung:
MOSFET; Energie; P-Ch; VDSS -12V; RDS (AN) 0.05Ohm; Identifikation -4.3A; Micro3; PD 1.3W; VGS +/-8V
Transport MOSFET P-CH 12V 4.3A 3-Pin Mikro-T/R
Transistor: P-MOSFET; Einpol; logischer Zustand; -12V; -4.3A; 1.3W
Diese P-Kanal MOSFETs vom internationalen Gleichrichter verwenden advancedprocessing Techniken, um - niedrigen Aufwiderstand pro Silikonbereich extrem zu erzielen. Dieser Nutzen, kombiniert mit der schnellen Schaltverzögerung und dem ruggedized devicedesign, dass HEXFET®-Energie MOSFETs für weithin bekannt sind, versieht thedesigner mit einem extrem leistungsfähigen und zuverlässigen Gerät für Gebrauch in Batterie andload Management. Ein thermisch erhöhtes großes Auflage leadframe ist in thestandard SOT-23 Paket enthalten worden, um einen HEXFET-Energie MOSFET mit dem kleinsten Abdruck der theindustrys zu produzieren. Dieses Paket, betitelt dem Micro3™, ist ideale forapplications, in denen Leiterplatteraum an einer Prämie ist. Die Zurückhaltung (<1>
Technologische Parameter:
| Schwellenspannung | 550 Millivolt |
| Inputkapazitanz | 830 PF |
| Nennleistung | 1,3 W |
| Polarität | P-Kanal |
| Installationsmethode | Oberflächenberg |
| Geheimnummer | 3 |
| Paket | SOT-23-3 |
| Betriebstemperatur | -55℃ | 150℃ (TJ) |
| Verpacken | Band u. Spule (TR) |
| Herstellungsanwendungen | DC-Schalter |
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Lagerbestand:
MOQ:
discussible