BSS123 SA SOT23 elektronisches IC bricht 3 Pin Surface Mount Installation ab
Elektronisches IC bricht Pin 3 ab
,Elektronische IC Chips SOT23
,Elektronische IC-Chips
Neuer ursprünglicher Bss123 Sa Sot23 Chip integrierter Schaltung IC
Produkte Beschreibung:
N-Kanal BSS123 MOSFET 100V 170mA/0.17A SOT-23/SC-59 schnelle Schaltung/logischen Zustand SA markierend kompatibel
Maximale Quelle-Abfluss-Spannung Vds-Abfluss-Quellspannung| 100V ---|--- Maximale Tor-Quellspannung Tor-Quellspannung Vgs (±)| gegenwärtige Identifikation lassen des maximalen Abfluss-100V gegenwärtiges ab| Ein-Zustand Ω/Ohmesistance des Quelle-Abfluss-170mA/0.17A auf--resistanceΩRds DΩ /Ohmain-SouΩ/Ohmce| 3.4Ω/Ohm @1.7A, Tor-Quellschwellen-Spannung Schwellenspannung 10V Vgs (Th)| Verlustleistung PD-0.8-1.2V| Beschreibung 360mW/0.36W u. Anwendungen| Anreicherungstyp-Feld-Effekt-Transistor BSS100 des N-Kanal-logischen Zustandes: 0.22A, 100V. RDS (AN) = 6W @ VGS = 10V. BSS123: 0.17A, 100V. RDS (AN) = 6W @ Entwurf der Zellen VGS = 10V mit hoher Dichte für extrem - kontrollierten differenziellen Schalter niedriger Spannung RDS (AUF). Schroff und zuverlässig. Beschreibung u. Anwendung | Anreicherungstyp-Feld-Effekt-Transistor BSS100 des N-Kanal-logischen Zustandes: 0.22A, 100V. RDS (AN) = 6W@VGS =10V. BSS123: 0.17A, 100V. Batterie RDS (AUF) =6W@ VGS= 10V mit hoher Dichte ist mit extrem - niedriger Spannung RDS (AN) entworfen, um differenziellen Schalter zu steuern.
Technologische Parameter:
| Eingegebene Kapazitanz (Ciss) | 73pF @25V (Vds) |
| Abfluss-Quellwiderstand | 1,2 Ω |
| Ausschweifende Energie | 360 mW |
| Schwellenspannung | 1,7 V |
| Abfluss-Quellspannung (Vds) | 100 V |
| Installationsmethode | Oberflächenberg |
| Geheimnummer | 3 |
| Paket | SOT-23-3 |
| Betriebstemperatur | -55℃ | 150℃ |
| Verpackung | Band u. Spule (TR) |