NX7002AK, 215 1 n-Kanal-Graben Mosfet 60V 190mA einzelnes SMD/SMT
Kategorie:
Modul der integrierten Schaltung
Price:
discussible
Zahlungs-Methode:
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Spezifikationen
Lassen Sie Quellwiderstand ab:
3 Ω
Ausschweifende Energie:
0,325 W
Installationsmodus:
Oberflächenberg
Geheimnummer:
3
Verkapselung:
SOT-23-3
Betriebstemperatur:
-55℃ | 150℃ (TJ)
Art der Verpackung:
Band u. Spule (TR)
Hervorheben:
NX7002AK 215
,N-Kanal-Graben Mosfet
Einleitung
NX7002AK, Graben MOSFET 60V 190mA einzelnes SMD/SMT des N-Kanal-215 SOT-23-3 1
Produkte Beschreibung:
Das NX7002AK ist ein N-Kanalanreicherungstyp Feldeffekttransistor (FET) in einem angebrachten Plastikoberflächenpaket des Gerätes (SMD) unter Verwendung Graben MOSFET-Technologie.
schnelle Schaltung
Esd-Schutz oben zu 1.5kV
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Transport MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin TO-236AB T/R
Relaisfahrer Hochgeschwindigkeitsstreckekabeltreiber Niedrig-seitiges loadswitch zugeschaltete Stromkreise
Technologische Parameter:
| Abfluss-Quellwiderstand | 3 Ω |
| Ausschweifende Energie | 0,325 W |
| Schwellenspannung | 1,6 V |
| Inputkapazitanz | 15 PF |
| Abfluss-Quellspannung (Vds) | 60 V |
| Eingegebene Kapazitanz (Ciss) | 17pF @10V (Vds) |
| Nennleistung (maximal) | 265 mW |
| Ausschweifende Energie (maximal) | 265mW (Ta), 1.33W (Tc) |
| Installationsmethode | Oberflächenberg |
| Zahl von Stiften | 3 |
| Paket | SOT-23-3 |
| Betriebstemperatur | -55℃ | 150℃ (TJ) |
| Verpackung | Band u. Spule (TR) |
| Herstellungsanwendungen | Audio, Energiemanagement |
| RoHS-Standard | RoHS konform |
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Lagerbestand:
MOQ:
discussible