2N7002 integrierte Schaltungen Mosfet N Kanal-SMD 60V 115MA
2N7002 Kanal SMD Mosfet N
,Mosfet Kanal 60V N
,N-Kanal Mosfet SMD
Differenzieller MOSFET N-CH 60V 115MA Feldeffekttransistoren der integrierten Schaltungen 2N7002
Produkte Beschreibung:
2N7002 Transistor, MOSFET, N-Kanal, 115 MA, 60 V, 1,2 Ohm, 10 V, 2,1 V
Das 2N7002 ist ein N-Kanalanreicherungstyp Feld-Effekt-Transistor, der unter Verwendung der hohen Zelldichte und DMOS-Technologie produziert wird. Es setzt Durchlasswiderstand während schroffe, zuverlässige und schnelle zugeschaltete Leistung der Lieferung herab. Es kann in den meisten Anwendungen verwendet werden, die bis zu DC 400mA erfordern und kann pulsierte Strom bis zu 2A liefern. Passend für die Schwachstrom-, niedrig-gegenwärtigen Anwendungen, wie kleine Servomotorsteuerung und Macht MOSFET-Torfahrer.
Zellentwurf mit hoher Dichte für extrem - niedriges RDS (AN).
Hohe Sättigungsstromfähigkeit.
Kontrollierter differenzieller Schalter der Spannung.
Schroff und zuverlässig
Dieses N-Kanalanreicherungstyp-Feldeffekt transistorsare produziert unter Verwendung Fairchild eigen, hohe Zelldichte, DMOS-Technologie. Diese Produkte sind tominimize Durchlasswiderstandwann liefern schroffe, zuverlässige und schnelle zugeschaltete Leistung entworfen worden. Sie können in den mostapplications benutzt werden, die bis zu DC 400mA erfordern und können deliverpulsed Strom bis zu 2A. Diese Produkte particularlysuited für Niederspannung, niedrige gegenwärtige Anwendungen wie smallservo Motorsteuerung, Macht MOSFET-Torfahrer und otherswitching Anwendungen.
Technologische Parameter:
| Nennspannung (DC) | 60,0 V |
| Nennstrom | 115 MA |
| Nennleistung | 200 mW |
| Geheimnummer | 3 |
| Abfluss-Quellwiderstand | 1,2 Ω |
| Polar | N-Kanal |
| Ausschweifende Energie | 200 mW |
| Schwellenspannung | 2,1 V |
| Abfluss-Quellspannung (Vds) | 60 V |
| Tor-Quelldurchbruchsspannung | ±20.0 V |