MOSFET NPN Transistor IC-Chip SOT-23 SOT-23-3 LP2301BLT1G
Kategorie:
Transistor IC-Chip
Price:
discussible
Zahlungs-Methode:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Spezifikationen
Abfluss-Quellwiderstand:
0,1 Ω
Polarität:
P
Schwellenspannung:
0,4 V
Paket:
SOT-23-3
Minimales Paket:
3000
RoHS-Standard:
RoHS konform
Führungsstandard:
Bleifrei
Hervorheben:
MOSFET NPN Transistor IC-Chip
,Transistor IC-Chip SOT-23
,LP2301BLT1G
Einleitung
Ursprünglicher neuer Transistor PNP SOT-23 (SOT-23-3) LP2301BLT1G MOSFET NPN
Produkte Beschreibung:
Dioden und Gleichrichter 1.MOS (Feld-Effekt-Transistor) /LP2301BLT1G
Material 2.the von Produktbefolgung withRoHS Anforderungen und Halogen frei
3.S- Präfix für die Automobil- und anderen Anwendungen requiringunique Standort- und Steueränderungsanforderungen; AEC-Q101qualified und PPAP fähig
4.RDS (AN), VGS@-2.5V, IDS@-2.0A =150MΩ
5.RDS (AN), VGS@-4.5V, IDS@-2.8A =110MΩ
Management 6.Power Systembelastungsschalter DSC Anmerkungsbuch transportablen Geräts im batteriebetriebenen
MAXIMALLEISTUNGEN (Ta = 25ºC)
| Parameter | Symbol | Grenzen | Einheit |
| Abfluss-Quellspannung | VDSS | -20 | V |
| Tor-zu-Quellspannung – ununterbrochen | VGS | ±8 | V |
| Lassen Sie gegenwärtiges ab (Anmerkung 1) – Ununterbrochen TA = 25°C – Pulsiert |
Identifikation IDM |
-2 -10 |
THERMISCHE EIGENSCHAFTEN
| Parameter | Symbol | Grenzen | Einheit |
| Höchstleistungs-Ableitung | PD | 0,7 | W |
| Thermischer Widerstand, Kreuzung-zu-umgebend (Anmerkung 1) |
RΘJA | 175 | C/W |
| Kreuzung und Lagertemperatur | TJ, Tstg | −55∼+150 | C |
Technologische Parameter:
| Abfluss-Quellwiderstand | 0,1 Ω |
| Polarität | P |
| Schwellenspannung | 0,4 V |
| Abfluss-Quellspannung (Vds) | 20 V |
| Ununterbrochener Abflussstrom (Ids) | 2.8A |
| Paket | SOT-23-3 |
| Minimales Paket | 3000 |
| RoHS-Standard | RoHS konform |
| Führungsstandard | Bleifrei |
| Geheimnummer | 6 |
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Lagerbestand:
MOQ:
discussible